Пенза, 20 октября 2015. PenzaNews. Магистрантка кафедры «Нано- и микроэлектроника» политехнического института Пензенского государственного университета Ксения Крайнова представит свой проект в полуфинале всероссийского нанотехнологического инженерного конкурса в Москве.

Его тематика связана с исследованием и разработкой преобразователей давления на основе тонкопленочных гетерогенных структур нанометрового размера. В команде с Ксенией над проектом также работал ее сокурсник Султан Таишев.

В период с 26 по 29 октября студентке предстоит защитить проект в Москве перед экспертами в рамках форума «Открытые инновации».

Кроме того, магистрантка приглашена пройти тренинг в группе «Роснано», сообщает пресс-служба Пензенского государственного университета.